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IGBT吸收薄膜電容
廣泛應用于新能源汽車、智能電網、變頻器、太陽能發電、感應加熱電源等領域。
應用特點:
有雙面金屬化薄膜、無感結構、低等效串聯電感,可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電,ESR小,具有自愈性。適用所有IGBT模塊區域尖峰電壓的吸收保護。
產品參數:
額定電壓 700V.DC~3000V.DC
額定容量 0.0047μF~10μF
溫度范圍 -40°C~85°C
容量偏差 ±5%, ±10%
極間耐電壓 2Ur(DC) 10s 25±5℃
極殼耐電壓 3000V 50Hz 60S, 25±5℃
損耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4,Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4
絕緣電阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S
預期壽命 100000h at Ur and 70℃
>>>更多薄膜電容資料請進入:產品中心
超高壓大電流脈沖薄膜電容
廣泛應用于新能源電動汽車、電機驅動、牽引、太陽能風力發電等領域。
應用特點:
1、可靠性高,能承受大波紋電流。
2、具有良好的自愈特性和溫度穩定性;
3、最高電壓可達100KV。
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